半导体器件工作在大电流和高电压的条件下，工作过程中功率的耗散会引起器件温度的升高，因此器件在特定温度下各项电学参数达标是器件正常工作基本的保障。对半导体器件进行高温测试是检测器件在特定温度下各项电学参数是否达标的必要手段，高温测试包括；饱和导通压降测试、耐压测试、短路耐量等静态测试，开启时间、关断时间等的动态测试。
半导体试验标准
国际电工委员会，关于半导体 高温储存试验的标准
IEC 60749-6-2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存
IEC 60749-6-2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存
IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存
IEC 60749-6-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存
韩国标准，关于半导体 高温储存试验的标准
KS C IEC 60749-6-2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存
德国标准化学会，关于半导体 高温储存试验的标准
DIN EN 60749-6-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温储存
法国标准化协会，关于半导体 高温储存试验的标准
NF C96-022-6-2002 半导体装置.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存
英国标准学会，关于半导体 高温储存试验的标准
BS EN 60749-6-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.高温下储存
欧洲电工标准化委员会，关于半导体 高温储存试验的标准
EN 60749-6-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存 部分替代EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002