回收进口整盘电容 Micron自家市场统计预测指出，从2012到2016年总体NAND Flash容量应用的年复合成长率可达51 。2013年，美光（Micron）与SK Hynix两家晶圆厂，先后发表16nm制程的NAND Flash存储器技术，而东芝（Toshiba）则在2014年直接跨入15nm制程，并推出相关NAND Flash存储器芯片产品。
NAND Flash传输速率，从2010年ONFI 2.0的133MB/s，eMMC v4.41的104MB/s；到2011年ONFI v2.2/Toggle 1.0规格，传输速率提升到200MB/s，eMMC v4.5拉高到200MB/s，UFS 1.0传输速率为2.9Gbps；2012年ONFI v3.0/Toggle v1.5提升到400MB/s，UFS v2.0传输速率倍增为5.8Gbps；预估到2015年，ONFI v4.x/Toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800MB/s、1.6GB/s。
随着NAND Flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（P/E Cycles）的缩减。SLC存储器从3x 制程的100，000次P/E Cycles、4个ECC bit到2x 制程降为60，000 P/E、ECC 24bit。MLC从早期5x 制程10，000 P/E、ECC 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 P/E、24~40个ECC bit。
有厂商提出，eSLC、iSLC的存储器解决方案，以运用既有的低成本的MLC存储器，在单一细胞电路单元使用SLC读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写耐用度提升到30，000次P/E，成本虽比MLC高，但性价比远于SLC，可应用在IPC／Kiosk／POS系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。
HCPL-M456-500E HCPL-M600-500E HCPL-M601-500e HCPL-M611 HCPL-M611-500E HCPL-T250V HCPL-V454 HCPL0630 HCPL2630 HCPL314J HCTL-1100 HCTL-2001-A00 HCTL-2017-A00
HCTL-2017-PLC HCTL-2021-A00 HDSP-5501 HEDS-9040#J00 HEDS-9100 HEDS-9140#A00 HEDS-9140#F00 HEDS-9140#H00 HEDS-9140#I00 HEDS-9200 HEDS-9700#F50 HEDS-9701#C54
HEDS-9730#Q50 HEDS-9731 HFBR-1412TZ HFBR-1414TZ HFBR-1414Z HFBR-1521Z HFBR-1522Z HFBR-1523Z HFBR-1528Z HFBR-1531Z HFBR-1532Z HFBR-2412TZ HFBR-2416TZ HFBR-2521Z
HFBR-2522Z HFBR-2523Z HFBR-2528Z HFBR-2531Z HFBR-2532Z HFBR-4501Z HFBR-4503Z HFBR-4511Z HFBR-4513Z HFBR-4516Z HFBR-4597Z HFBR-EUS100Z HFBR-EUS500Z HFBR-RUS500Z
HLMP-1401 HSMC-C190 HSMC-C680HSMF-C155 HSMM-A100-S00J1 HSMP-3810-TR1G HSMP-3814-TR1G HSMP-3894-TR1G HSMS-2812-TR1G HSMS-2825-TR1G HSMS-282K-TR1G HSMS-8202-TR1G
HSSR-7110